Numer: 09/2015 Str. 9
Autorzy: Paweł Barmuta , Arkadiusz Lewandowski , Konstanty Łukasik , Dominique Schreurs , Lech Dobrzański :
Tytuł: Małosygnałowe pomiary w.cz. i modelowanie tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w ITME
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki małosygnałowych pomiarów w.cz. oraz modelowania tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronowych (ITME). Badane tranzystory miały bramkę o długości 500 nm i szerokości 100 μm gate i zostały wyprodukowane na podłożu szafirowym o grubości 350 μm. Parametry rozproszenia tranzystorów zostały zmierzone na stacji ostrzowej w pasmie 0,01-15 GHz, a następnie na ich podstawie zostały wyznaczone parametry małosygnałowego schematu zastępczego. Otrzymane wyniki pokazują, że badane tranzystory mają powtarzalne parametry, uzyskując co najmniej 14,4 dB wzmocnienia unilateralnego w pasmie S oraz maksymalną częstotliwość generacji co najmniej 23 GHz.
Słowa kluczowe: tranzystor FET z azotku galu, pomiary małosygnałowe w.cz., identyfikacja parametrów schematu zastępczego.