Numer: 07/2020 Str. 103
Autorzy: Dawid Zięba , Jacek Rąbkowski :
Tytuł: Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT
Streszczenie: W artykule przedstawiono zasadę działania, badania symulacyjne oraz wyniki badań eksperymentalnych trójpoziomowego przekształtnika podwyższającego napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym zbudowanego z wykorzystaniem tranzystorów z azotku galu (GaN) HEMT. Dzięki temu układ pracuje z częstotliwością 250 kHz, co więcej, charakteryzuje się bardzo wysokim współczynnikiem wzmocnienia – wejściowe napięcie o amplitudzie 50V podnosi do napięcia powyżej 750V.
Słowa kluczowe: obwód impedancyjny, tranzystory GaN HEMT, trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie.