No/VOL: 07/2020 Page no. 80
Authors: Przemysław Trochimiuk :
Title: Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Abstract: Niniejszy artykuł omawia aktywną metodą kompensacji nierównomiernego rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach łącznika energoelektronicznego średniego napięcia, zbudowanego z wykorzystaniem modułów SiC MOSFET o napięciu przebicia 1,7 kV. Dzięki pomiarom napięć oraz odpowiedniemu opóźnieniu sygnałów sterujących można wyrównać napięcia na tranzystorach nie zwiększając czasów przełączania i energii wytracanych w tranzystorach. Artykuł ilustruje wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych opracowanego łącznika przy napięciu 1,5 kV i prądzie 150 A.
Key words: SiC MOSFET, szeregowe łączenie, aktywne wyrównywanie napięć.