No/VOL: 05/2016 Page no. 45
Authors: Jacek Rąbkowski :
Title: Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)
Abstract: W artykule omówiono zagadnienia związane z projektowaniem i budową falownika mostkowego wykorzystującego azotkowo-galowe (GaN) tranzystory typu Gate Injection Transistors (GIT). Przedstawione są podstawowe właściwości tych tranzystorów wraz z tematyką dotyczącą ich sterowników bramkowych. Następnie zaprezentowany jest model laboratoryjny falownika o mocy 2kVA pracującego z częstotliwością przełączeń równą 250kHz. Artykuł ilustrowany jest wynikami badań laboratoryjnych.
Key words: azotek galu (GaN), falownik jednofazowy, sterowniki bramkowe.