Numer: 05/2016 Str. 45
Autorzy: Jacek Rąbkowski :
Tytuł: Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)
Streszczenie: W artykule omówiono zagadnienia związane z projektowaniem i budową falownika mostkowego wykorzystującego azotkowo-galowe (GaN) tranzystory typu Gate Injection Transistors (GIT). Przedstawione są podstawowe właściwości tych tranzystorów wraz z tematyką dotyczącą ich sterowników bramkowych. Następnie zaprezentowany jest model laboratoryjny falownika o mocy 2kVA pracującego z częstotliwością przełączeń równą 250kHz. Artykuł ilustrowany jest wynikami badań laboratoryjnych.
Słowa kluczowe: azotek galu (GaN), falownik jednofazowy, sterowniki bramkowe.