Numer: 10/2015 Str. 170
Autorzy: Maciej Łuszczek , Marek Turzyński , Dariusz Świsulski :
Tytuł: Modelowanie grafenowego tranzystora polowego do zastosowań w sensorach elektronicznych
Streszczenie: Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego.
Słowa kluczowe: grafen, tranzystor polowy, GFET, sensor.