Numer: 09/2015 Str. 211
Autorzy: Wojciech Wojtasiak , Wojciech Gwarek , Anna Piotrowska , Eliana Kamińska :
Tytuł: Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT
Streszczenie: Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.
Słowa kluczowe: mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne.