Numer: 09/2015 Str. 207
Autorzy: Wojciech Wojtasiak , Dawid Kuchta :
Tytuł: Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
Streszczenie: Powszechnie znane metody pomiaru ruchliwości i koncentracji nośników w 2-wymiarowym gazie elektronowym (2-DEG) struktur HEMT stosowane są do oceny poszczególnych etapów procesu technologicznego. Brak jest ilościowego odniesienia uzyskanych w ten sposób wartości tych parametrów wprost do charakterystyk elektrycznych tranzystora. Dlatego zaproponowano podejście zaciskowe, aby na podstawie zależności fizycznych i charakterystyk DC I-V tranzystora wyznaczyć ruchliwość i koncentrację nośników 2-DEG w kanale struktury GaN HEMT.
Słowa kluczowe: model, GaN HEMT, tranzystor, ruchliwość, koncentracja, 2-DEG, C-V.