Numer: 09/2015 Str. 65
Autorzy: Włodzimierz Janke , Wojciech Wojtasiak :
Tytuł: Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu
Streszczenie: Omówiono podstawowe właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT wykonywanych na bazie azotku galu (GaN). Przedyskutowano specyfikę struktury heterozłączowej oraz główne cechy fizyczne azotku galu. Szczególną uwagę poświęcono mechanizmowi tworzenia dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) i jego znaczeniu dla właściwości tranzystorów. Przedstawiono niektóre efekty pasożytnicze występujące w tranzystorach GaN HEMT, znane jako „current collapse” oraz „DC-RF dispersion”. Omówiono także najważniejsze obecnie zastosowania tranzystorów GaN HEMT – w układach mikrofalowych oraz energoelektronice.
Słowa kluczowe: azotek galu, GaN, HEMT, układy mikrofalowe, energoelektronika.