Numer: 11/2014 Str. 74
Autorzy: Piotr Grzejszczak , Mieczysław Nowak , Roman Barlik :
Tytuł: Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii
Streszczenie: W pracy przedstawiono sposób analitycznego wyznaczania pojemności wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET i diod Schottky’ego SiC, stosowanych w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Silna nieliniowość oraz trudności w pomiarach sprawiają, że zwykle wykorzystywane są wartości zastępcze tych pojemności, nieprowadzące do poprawnych obliczeń mocy strat łączeniowych. Zaproponowany sposób charakteryzowania pojemności prowadzi do uściślenia wyników, co zostało zweryfikowane w badaniach symulacyjnych i eksperymentalnych.
Słowa kluczowe: pojemności pasożytnicze łączników, łączeniowe straty mocy, tranzystory MOSFET, diody Schottky’ego SiC
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.11.22