No/VOL: 08/2014 Page no. 226
Authors: Marek Suproniuk , Paweł Kamiński , Roman Kozłowski , Jarosław Żelazko , Michał Kwestarz , Michał Pawłowski :
Title: Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu
Abstract: Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami.
Key words: Si, rezystywność, centra defektowe, badania symulacyjne.
DOI number: 10.12915/pe.2014.08.53