Numer: 08/2014 Str. 226
Autorzy: Marek Suproniuk , Paweł Kamiński , Roman Kozłowski , Jarosław Żelazko , Michał Kwestarz , Michał Pawłowski :
Tytuł: Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu
Streszczenie: Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami.
Słowa kluczowe: Si, rezystywność, centra defektowe, badania symulacyjne.
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.08.53