Numer: 02/2014 Str. 186
Autorzy: Piotr Grzejszczak , Mieczysław Nowak , Roman Barlik :
Tytuł: Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego
Streszczenie: W referacie przedstawiono wyniki badań symulacyjnych oraz pomiarów laboratoryjnych mające na celu udoskonalenie metodyki wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach MOSFET pracujących w przekształtnikach mostkowych. Obiektem, w odniesieniu do którego prowadzono badania jest podwójny mostek aktywny, dla którego uwzględniono znamienne stany pracy charakteryzujące sie miękkim i twardym załączaniem tranzystorów oraz specyficznymi warunkami przełączania przy niewielkim obciążeniu. Podany jest sposób wykorzystania i ocena przydatności firmowych modeli w SPICE przy wyznaczeniu strat w stanach dynamicznych tranzystorów MOSFET.
Słowa kluczowe: Straty łączeniowe MOSFET’ów, podwójny mostek aktywny, termowizyjne pomiary mocy
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.02.48