Numer: 10/2013 Str. 57
Autorzy: Marek Ekielski , Marcin Juchniewicz , Anna Piotrowska :
Tytuł: Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL
Streszczenie: Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2.
Słowa kluczowe: nanostemplowanie, litografia NIL, nanostruktury GaN, trawienie ICP GaN.