No/VOL: 08/2013 Page no. 83
Authors: Jerzy Gołębiowski , Jan Waśkiewicz :
Title: Zjawisko pamięci rezystancyjnej w cienkowarstwowej strukturze na bazie nadprzewodnika YBa2Cu3O7-x
Abstract: W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych, w których zaobserwowano elektrorezystancyjne zjawisko pamięci w strukturze cienkowarstwowej opartej na nadprzewodniku wysokotemperaturowym YBa2Cu3O7-x poddanym działaniu prądu elektrycznego, oraz przeprowadzono próbę interpretacji mechanizmu fizycznego tego zjawiska w oparciu o procesy pułapkowania jonów tlenu albo elektronów.
Key words: nadprzewodniki wysokotemperaturowe, zjawisko pamięci rezystancyjnej, zjawisko elektrorezystancyjne, charakterystyki prądowe i temperaturowe.