Numer: 07a/2012 Str. 312
Autorzy: Nikolai Poklonski , Nikolay Gorbachuk , Anna Ermakova , Mariya Tarasik , Sergey Shpakovski , Viktor Filipenia , Viktor Skuratov , Andreas Wieck , Tomasz Kołtunowicz :
Tytuł: Impedancja diod spolaryzowanych zaporowo napromieniowanych jonami kryptonu o energii 250 MeV
Streszczenie: Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość między granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 μm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie.
Słowa kluczowe: promieniowanie jonowe, dioda o złączu p+n, impedancja.