Numer: 04b/2012 Str. 187
Autorzy: Jacek Rąbkowski , Mariusz Zdanowski , Roman Barlik :
Tytuł: Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) – przegląd rozwiązań
Streszczenie: Artykuł przedstawia przegląd rozwiązań sterowników bramkowych tranzystorów mocy z węglika krzemu. Omówiono kolejno przypadki tranzystorów złączowych (JFET): normalnie załączonych a także normalnie wyłączonych oraz sterowniki prądu bazy dla tranzystorów bipolarnych (BJT). Przedstawiono także wyniki badań eksperymentalnych – przebiegi prądów i napięć zarejestrowane w trakcie testów dwupulsowych, obrazujące procesy łączeniowe dla każdego z omawianych tranzystorów.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, tranzystor JFET, tranzystor BJT, sterowniki bramkowe.