Numer: 04a/2012 Str. 90
Autorzy: Julia Fedotova , Anis Saad , Dmitry Ivanou , Yulia Ivanova , Aleksander Fedotov , Alexander Mazanik , Ivan Svito , Eugen Streltsov , Serguey Tyutyunnikov , Tomasz Koltunowicz :
Tytuł: Magnetoprzewodzenie w nanostrukturalnych cienkich warstwach Ni osadzanych galwanicznie na podłożu Si
Streszczenie: W pracy przedstawiono badania rezystywności i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza.
Słowa kluczowe: ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja.