Numer: 05/2011 Str. 40
Autorzy: Stanisław Hałgas , Michał Tadeusiewicz :
Tytuł: Analiza układów CMOS o wielu rozwiązaniach DC
Streszczenie: Praca dotyczy analizy układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem, mających wiele rozwiązań DC. Tranzystory są opisane za pomocą modelu PSP, najbardziej zaawansowanego, opartego na koncepcji potencjału powierzchniowego modelu MOSFET, uznanego w 2005 roku za standardowy w zastosowaniu do nowej generacji układów scalonych. W pracy zaproponowano algorytm obliczania wielokrotnych rozwiązań DC oraz wyznaczania wielowartościowych charakterystyk typu wejście-wyjście układów scalonych, z użyciem najnowszej wersji PSP 103.1.1 modelu MOSFET. W algorytmie wykorzystano pewne jedno-wartościowe charakterystyki wejściowe, zwane charakterystykami testowymi oraz uogólnioną odcinkowo-liniową aproksymację. Dla ilustracji podano przykład liczbowy.
Słowa kluczowe: analiza stałoprądowa, charakterystyki przejściowe, rozwiązania wielokrotne, układy CMOS.