No/VOL: 01/2011 Page no. 271
Authors: Janusz Zarębski , Damian Bisewski :
Title: Badanie parametrów termicznych tranzystorów GaAs i SiC MESFET
Abstract: Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych – rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.
Key words: tranzystory MESFET, modelowanie, pomiar parametrów termicznych, pomiar temperatury.