Numer: 01/2011 Str. 271
Autorzy: Janusz Zarębski , Damian Bisewski :
Tytuł: Badanie parametrów termicznych tranzystorów GaAs i SiC MESFET
Streszczenie: Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych – rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.
Słowa kluczowe: tranzystory MESFET, modelowanie, pomiar parametrów termicznych, pomiar temperatury.