Numer: 11a/2010 Str. 123
Autorzy: Paweł Borowicz , Tomasz Gutt , Tomasz Małachowski , Mariusz Łatek :
Tytuł: Badania strukturalne węglika krzemu za pomocą spektroskopii mikro-ramanowskiej
Streszczenie: Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikiem o szerokiej przerwie energetycznej bardzo obiecującym jako materiał do wytwarzania tranzystorów wysokiej częstości i mocy. Najważniejsze zalety materiału to dobra przewodność cieplna oraz wysokie, krytyczne pole elektryczne. Powierzchniowe utlenianie SiC prowadzi do utworzenia dielektrycznej warstwy SiO2 na podłożu z węglika krzemu. Niestety, materiał ma również istotne wady. Najważniejsza z nich, z punktu widzenia zastosowania w podzespołach elektronicznych, to redukcja mobilności nośników ładunku elektrycznego przez położone w sąsiedztwie interfejsu pułapki (NITs). Spektroskopia ramanowska jest techniką eksperymentalną umożliwiającą badanie struktury materiału bez konieczności destrukcji próbki. Widma rozpraszania Ramana zależą badanego politypu węglika krzemu, wielkości mikrokryształów oraz wtrąceń takich jak np. struktury węglowe. Celem pracy było zbadanie różnych politypów węglika krzemu (4H oraz 3C) za pomocą jedno- i dwu-fononowych widm rozpraszania Ramana. Uwaga została skupiona na tym zakresie przesunięcia Ramana, gdzie zawarte są informacje na temat struktur węglowych, które mogą być odpowiedzialne za tworzenie pułapek położonych w sąsiedztwie interfejsu SiC / SiO2. Dane dotyczące struktury mogą być skorelowane z własnościami elektrycznymi badanych próbek.
Słowa kluczowe: spektroskopia ramanowska, węglik krzemu (SiC), jedno- i dwu-fononowe widma rozpraszania Ramana, pułapki w sąsiedztwie interfejsu (NITs)