Numer: 07/2010 Str. 317
Autorzy: Sławomir Ligenza , Cezary Worek :
Tytuł: Symulacja i badanie układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki symulacji i pomiarów układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym w trybie „soft-switching”. Porównano straty mocy w poszczególnych tranzystorach oraz w przypadku równoległego ich połączenia. Wykazano, że konfiguracja równoległa jest obiecującą konfiguracją do zastosowania w zasilaczach rezonansowych w których występują, ze względu na charakter układu, duże przetężenia prądu
Słowa kluczowe: równoległe połączenie kluczy półprzewodnikowych, zasilacz rezonansowy, klasa DE.