Numer: 07/2010 Str. 184
Autorzy: Janusz Partyka , Vladimir Odzhaev , Dmitrij Brinkewitch , Vladislav Prosolowitch , Jurij Jankowski :
Tytuł: Elektro-fizyczne właściwości CMOS-struktur wykonanych metodą wysokoenergetycznej implantacji jonowej
Streszczenie: Przedstawiono rezultaty badań CMOS-struktur wykonanych za pomocą wlwktroenergetycznej implantacji jonowej co pozoliło na uniknięcie powstawania „pasożytniczego” tyrystora i efektu „zatrzaskiwania”. Eksperymentalnie stwerdzono, że optymalnym rodzajem termicznej obróbki przy tworzeniu CMOS-struktur jest szybkie wygrzewanie.
Słowa kluczowe: CMOS-struktury, wysokoenergetyczna implantacja jonowa, efekt „zatrzaskiwania”.