Numer: 02/2010 Str. 390
Autorzy: Artur Cichowski , Janusz Nieznański , Wojciech Śleszyński , Jarosław Łuszcz , Andrzej Wojewódka :
Tytuł: Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy
Streszczenie: Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT.
Słowa kluczowe: diagnostyka, monitorowanie, IGBT, konserwacja prognozowana.