No/VOL: 10/2009 Page no. 217-221
Authors: Ryszard Strzelecki , Dmitri Vinnikov :
Title: Porównanie dwu- i trójpoziomowych półmostkowych przekształtników DC/DC w aplikacjach dużej mocy i wysokiego napięcia
Abstract: Artykuł dotyczy wysokonapięciowych (>2 kV) izolowanych przekształtników DC/DC dużej mocy (>20 kW). Dokonano analizy topologii półmostkowej, trójpoziomowej z tranzystorami IGBT 3,3 kV, która stanowi alternatywę dla topologii dwupoziomowej z tranzystorami IGBT 6,5 kV. Zbadano i porównano obydwie topologie pod względem właściwości łączników, metody doboru, rozkładu strat, wyzwań projektowe oraz kosztu półprzewodników i elementów pasywnych. Porównano wykonalność obydwu rodzajów przekształtników oraz podano końcowe rekomendacje.
Key words: wysokonapięciowe IGBT, przekształtnik DC/DC, sprawność, tabor kolejowy