Numer: 02/2009 Str. 75-78
Autorzy: Michał Lisowski , Krystian Krawczyk :
Tytuł: Analiza wpływu rezystancji izolacji na dokładność wysokoomowych transferów Hamona
Streszczenie: Dokładność wysokoomowych transferów Hamona, stosowanych do porównywania rezystorów wzorcowych o dużych wartościach w stosunku 1:10 i 1:100, zależy głównie od upływności izolacji. Analiza wpływu rezystancji izolacji na dokładność tych transferów i opis sposobu minimalizacji wpływu prądów upływnościowych izolacji poprzez zastosowanie podwójnej izolacji są przedmiotem tej publikacji.
Słowa kluczowe: wzorce wysokich rezystancji, transfery Hamona, rezystancja izolacji, podwójna izolacja, analiza