Numer: 02/2025 Str. 161
Autorzy: Mateusz Glinkowski , Bogdan Paszkiewicz , Regina Paszkiewicz :
Tytuł: Prąd upływu bufora w lateralnym tranzystorze AlGaN/GaN HEMT
Streszczenie: Upływ prądu przez warstwę buforową w tranzystorach HEMT typu AlGaN/GaN jest istotnym czynnikiem w wytwarzaniu elementów półprzewodnikowych na bazie materiałów z grupy AIIIN, o zadanych parametrach. W pracy przeanalizowano przepływ prądu i rozkład potencjału w heterostrukturach AlGaN/GaN z dwoma kanałami przewodzącymi i warstwą buforową. Obecność drugiego kanału przewodzącego ma znaczący wpływ na przepływ prądu, szczególnie w wypadku nieintencjonalnego domieszkowania półizolacyjnych warstw buforowych GaN lub w obecności silnego pola elektrycznego.
Słowa kluczowe: Warstwa buforowa, AlGaN/GaN, HEMT, prąd upływu