Numer: 02/2025 Str. 84
Autorzy: Marcjan Nowak , Adrian Barasiński :
Tytuł: Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET
Streszczenie: W artykule przedstawiono analizę strat przełączeniowe w przekształtnikach energoelektronicznych z tranzystorami SiC MOSFET. Omówiono wpływ częstotliwości przełączania na generowanie ciepła oraz metody ograniczania strat, takie jak stosowanie gasików, optymalizacja sterowników bramkowych i wykorzystanie zaawansowanych technologii materiałowych (SiC, GaN). Badania teoretyczne i praktyczne wskazują na korzyści z wykorzystania symulacji komputerowych w projektowaniu przekształtników.
Słowa kluczowe: model symulacyjny, przekształtnik, straty mocy, tranzystor SiC MOSFET