Numer: 07/2024 Str. 1
Autorzy: Dawid Zięba , Jacek Rąbkowski :
Tytuł: Elastyczne cewki Rogowskiego w pomiarach szybko przełączających modułów tranzystorowych SiC MOSFET – ograniczenia i wyzwania
Streszczenie: W artykule podjęto dyskusję nad ograniczeniami sond prądowych w formie elastycznych cewek Rogowskiego przy pomiarach szybkich procesów łączeniowych modułów tranzystorowych SiC MOSFET. Sondy te charakteryzują się ograniczonym pasmem przenoszenia do 50 MHz i mogą być podatne na zakłócenia elektromagnetyczne jakie towarzyszą szybkim procesom łączeniowym. Wykonano testy dwupulsowe i przebiegi uzyskane przy pomocy wybranych trzech cewek Rogowskiego porównano z przebiegami zarejestrowanymi przy użyciu skalibrowanego koaksjalnego bocznika rezystancyjnego o paśmie przenoszenia 2 GHz.
Słowa kluczowe: SiC MOSFET, szybko przełączające, moduły tranzystorowe, cewki Rogowskiego.