Numer: 05/2024 Str. 31
Autorzy: Sebastian Bąba , Grzegorz Palesa , Jarosław Wiśniewski , Filip Mańka :
Tytuł: Praktyczne wykorzystanie metod pomiaru temperatury zła˛cza tranzystora SiC MOSFET w oparciu o parametry elektryczne
Streszczenie: Pomimo omawiania tematu pomiaru temperatury zła˛cza tranzystorów SiC MOSFET w oparciu o ich parametry elektryczne w wielu artykułach, pomiar ten dalej nastr ˛ecza wielu trudno´sci - w szczególno´sci przy wykorzystaniu w rzeczywistych przekształtnikach energoelektronicznych. Wyzwania, które z reguły sa˛ pomijane w artykułach badawczych dotycza˛wykonywalnos´ci, powtarzalnos´ci i dokładnos´ci pomiaru, w szczególnos´ci przy porównianiu do innych dobrze znanych metod pomiaru. Aby wypełnic´ te˛ luke˛, porównano róz˙ne sposoby estymacji temperatury zła˛cza w oparciu o pomiar rezystancji kanału tranzystora SiC MOSFET.
Słowa kluczowe: SiC, MOSFET, TSEP, temperatura zła˛cza