Przegląd Elektrotechniczny

Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page



Numer: 03/2008 Str. 72-74

Autorzy: Tania Tsvetkova , Stefan Balabanov , Lachezar Avramov , Ekaterina Borisova , Lothar Bischoff :

Tytuł: Poprawa fotoluminescencji w PMMA metodą implantacji krzemu

Streszczenie: Badano wpływ implantacji jonów Si+ na właściwości fotoluminescencyjne polymethyl-methacrylate (PMMA). Implantacja niskoenergetyczna (E=30÷50 keV) była przeprowadzana dla różnych dawek jonów (D=1013÷1017 cm-2). Zaobserwowany efekt poprawy fotoluminescencji wyraźnie zależy od wielkości dawki. Dla pewnych dawek amplituda fotoluminescencji wzrastała wielokrotnie. Badania mikroskopowe i analiza powierzchni wskazują że implantowane atomy Si grupują się co może być związane z obserwowanym efektem fotoluminescencji.

Słowa kluczowe: implantacja jonów, polymethyl-methacrylate, fotoluminescencja

wstecz