Numer: 09/2022 Str. 94
Autorzy: Adrian Pietruszka , Paweł Górecki , Jacek Tarasiuk , Agata Skwarek :
Tytuł: Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Streszczenie: W artykule opisano wpływ występowania oraz lokalizacji dużych pustek w połączeniu lutowanym pada termicznego na parametry cieplne tranzystora MOSFET. Na potrzeby realizacji prac badawczych zaprojektowano i wykonano serię próbek testowych, których parametry termiczne zmierzono za pomocą pośredniej metody elektrycznej. Przeprowadzono analizę statystyczną otrzymanych wyników oraz wykonano zdjęcia RTG pada termicznego wybranych próbek testowych. W niniejszym artykule analizowano wpływ występowania pustek lutowniczych w padzie termicznym, na parametry termiczne tranzystora MOSFET. Określono wpływ lokalizacji pustek wewnątrz połączenia lutowanego.
Słowa kluczowe: MOSFET; parametry termiczne; lutowanie; pustki lutownicze.