Numer: 03/2022 Str. 121
Autorzy: Magdalena Budnarowska , Jerzy Mizeraczyk , Ryszard Studański :
Tytuł: Pole elektromagnetyczne w obudowie ekranującej z otworem technologicznym po zaburzeniu ultrakrótkim impulsem fali płaskiej dużej mocy
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki numerycznej symulacji rozwoju pola elektromagnetycznego (EM) w obudowie ekranującej z otworem po zaburzeniu ultrakrótkim impulsem fali płaskiej dużej mocy. Obliczenia numeryczne wykonano w środowisku CST Studio. Symulacje ujawniły istnienie dwóch dotąd nieznanych faz rozwoju pola EM: fazy falowej i fazy interferencyjnej. W symulacji zastosowano nowe wizualizacyjne podejście do analizy mechanizmów sprzężenia i rozwoju pola elektromagnetycznego indukowanego wewnątrz obudowy ekranującej z otworem przez ultrakrótki elektromagnetyczny impuls fali płaskiej. Z symulacji wynika, że pole indukowane w obudowie jest długotrwałe w porównaniu z rzeczywistym czasem oddziaływania zewnętrznego impulsu zaburzającego i stanowi poważne zagrożenie EM przez czas znacznie dłuższy niż czas rzeczywistego oddziaływania impulsu zaburzającego.
Słowa kluczowe: obudowa ekranująca z otworem, pole elektromagnetyczne, CST Studio, symulacja numeryczna pola elektromagnetycznego.