Przegląd Elektrotechniczny

Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page



Numer: 02/2022 Str. 133

Autorzy: Piotr Wiśniewski , Bogdan Majkusiak :

Tytuł: Modelowanie polowego tranzystora tunelowego InAs/Si z biwarstwą elektronowo-dziurową

Streszczenie: W niniejszej pracy przedstawiamy wyniki modelowania polowego tranzystora tunelowego Si/InAs z biwarstwą elektronowo-dziurową. W tym celu wykorzystaliśmy opracowany numeryczny symulator przyrządów bazujący na samouzgodnionym rozwiązaniu równań Poissona i Schrödingera. Prezentujemy analizę wpływu grubości kanału na charakterystyki prądowo-napięciowe. Pokazujemy, iż wykorzystanie heterostruktury w obszarze kanału przyrządu może dać dodatkową swobodę w konstruowaniu tranzystora tunelowego EHB TFET.

Słowa kluczowe: modelowanie numeryczne, tunelowanie, TFET, przyrządy półprzewodnikowe.

wstecz