Numer: 11/2021 Str. 117
Autorzy: Ernest Brzozowski , Oskar Sadowski , Paweł Górecki , Krzysztof Górecki , Ryszard Kisiel , Marek Guziewicz :
Tytuł: Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości
Streszczenie: Przedstawiono wyniki testów starzeniowych tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) typu STGP10NC60KD, dostępnych komercyjnie oraz tranzystorów SIGC11T60NC zmontowanych do przepustów TO-220 następującymi metodami: 1) spiekania mikroproszku srebra, 2) klejenia żywicą, 3) lutowania, 4) lutowania z podkładką Ag. Przeprowadzono dwa kolejne testy: 1) obciążenie prądem stałym 10 A przez 100 h, 2) włączanie i wyłączanie na 5 i 10 minut, 850 przełączeń. Najlepszą trwałość wykazały przyrządy zmontowane metodą lutowania.
Słowa kluczowe: montaż mikroelektroniczny, spiekanie, tranzystor IGBT, test trwałości