Numer: 02/2021 Str. 99
Autorzy: Maciej Kamiński , Ernest Brzozowski , Andrzej Taube , Oskar Sadowski , Krystian Król , Marek Guziewicz :
Tytuł: Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawierającej fosfor lub azot na jakość międzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki prac nad formowaniem tlenku termicznego na powierzchni węglika krzemu oraz wpływ wygrzewania w atmosferze zawierającej fosfor lub azot na jakość międzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik/ w układzie SiO2/4H-SiC. Stwierdzono, że wygrzewanie dwuetapowe w atmosferze POCl3 w temperaturze 1000°C, oraz kolejno NO w temperaturze 1100°C pozwala zredukować gęstość stanów pułapkowych do poziomu ok. 2×1011 cm−2 przy krawędzi pasma przewodnictwa.
Słowa kluczowe: SiC, stany powierzchniowe, dielektryk bramkowy, międzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik, POCl3, NO