No/VOL: 02/2021 Page no. 57
Authors: Bartłomiej Stonio , Norbert Kwietniewski , Piotr Firek , Mariusz Sochacki :
Title: Reaktywne trawienie jonowe 4H-SiC przy użyciu plazmy Ar/BCl3
Abstract: W pracy zaprezentowano wyniki reaktywnego trawienia jonowego (Reactive Ion Etching – RIE) węglika krzemu (4H-SiC) wspomaganego plazmą na bazie gazów roboczych Ar+BCl3. Przeprowadzono analizę wpływu parametrów procesu trawienia: czasu procesu, ciśnienia w komorze roboczej, mocy i stosunku gazów roboczych (Ar i BCl3) na głębokość i szybkość trawienia węglika krzemu. Jako maskę w procesach użyto osadzonego plazmowo SiO2, w którym zostały zdefiniowane okna przy pomocy fotolitografii. Pomiary głębokości po procesach trawienia zrealizowane zostały metodą profilometrii.
Key words: węglik krzemu, 4H-SiC , trawienie plazmowe, BCl3, RIE