Numer: 02/2021 Str. 57
Autorzy: Bartłomiej Stonio , Norbert Kwietniewski , Piotr Firek , Mariusz Sochacki :
Tytuł: Reaktywne trawienie jonowe 4H-SiC przy użyciu plazmy Ar/BCl3
Streszczenie: W pracy zaprezentowano wyniki reaktywnego trawienia jonowego (Reactive Ion Etching – RIE) węglika krzemu (4H-SiC) wspomaganego plazmą na bazie gazów roboczych Ar+BCl3. Przeprowadzono analizę wpływu parametrów procesu trawienia: czasu procesu, ciśnienia w komorze roboczej, mocy i stosunku gazów roboczych (Ar i BCl3) na głębokość i szybkość trawienia węglika krzemu. Jako maskę w procesach użyto osadzonego plazmowo SiO2, w którym zostały zdefiniowane okna przy pomocy fotolitografii. Pomiary głębokości po procesach trawienia zrealizowane zostały metodą profilometrii.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, 4H-SiC , trawienie plazmowe, BCl3, RIE