No/VOL: 12/2020 Page no. 131
Authors: Kamil Bargieł :
Title: Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Abstract: W pracy omówiono problem modelowania wpływu wybranych czynników na właściwości tranzystora polowego wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono badanie przydatności wbudowanego modelu tranzystora JFET w programie SPICE do analizy właściwości tego przyrządu półprzewodnikowego. Przedstawiono obliczenia zmodyfikowanym modelem tranzystora JFET z węglika krzemu, pokazujące poprawę dokładności modelowania. Ocenę dokładności zmodyfikowanego modelu przeprowadzono przez porównanie zmierzonych i obliczonych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.
Key words: JFET, węglik krzemu, modelowanie, charakterystyki pojemnościowe.