Numer: 02/2020 Str. 178
Autorzy: Joanna Szelągowska , Damian Bisewski , Janusz Zarębski :
Tytuł: Pomiary przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT
Streszczenie: W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
Słowa kluczowe: przejściowa impedancja termiczna, rezystancja termiczna, tranzystor bipolarny, węglik krzemu.