Numer: 01/2020 Str. 15
Autorzy: Piotr Zegarmistrz , Zbigniew Galias :
Tytuł: Formowanie elementów memrystorowych napięciowymi sygnałami prostokątnymi
Streszczenie: W pracy opisano wyniki badań nad procesem formowania memrystorów, tzn. programowaniem poziomu rezystancji chwilowej elementu oraz stabilnością uzyskanej wartości. W części pomiarowej wykorzystano dwa rodzaje elementów memrystorowych z grupy BS-AF. Celem badań było określenie warunków niezbędnych do zmiany rezystancji memrystora podczas wzbudzania napięciami o różnych poziomach, czasie trwania i polaryzacji. W szczególności poszukiwano wartości progowej napięcia zasilającego potrzebnej do modyfikacji stanu memrystora. Wartość taka definiuje poziom napięcia, poniżej którego możliwy jest pomiar wartości chwilowej memrystancji (operacja odczytu danych), bez zmiany opisywanej wartości. Uzyskane wyniki wskazują, że wartość ta zależy od polaryzacji przyłożonego napięcia. Badane memrystory są znacznie bardziej czułe na napięcie ujemne. Oznacza to, że znaczą co niższy poziom napięcia jest potrzebny aby przełączyć memrystor ze stanu niskiej do wysokiej rezystancji niż odwrotnie. Zaobserwowano również, że ostateczna wartość rezystancji chwilowej memrystora zależy od liczby i poziomu impulsów napięciowych. Eksperyment ten potwierdza, iż memrystory typu BS-AF mogą uzyskiwać więcej niż dwa poziomy rezystancji chwilowej w stabilny sposób, co może być kluczowe dla wykorzystania ich w strukturach pamięci lub systemach neuromorficznych.
Słowa kluczowe: memrystor, element memrystorowy, formowanie memrystorów, struktury pamięci, obwody nieliniowe