Numer: 10/2019 Str. 154
Autorzy: Agnieszka Martychowiec , Norbert Kwietniewski , Mariusz Sochacki :
Tytuł: Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
Streszczenie: Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu
Słowa kluczowe: węglik krzemu, SiC, przygotowanie powierzchni SiC, technologia półprzewodnikowa.