Numer: 09/2019 Str. 115
Autorzy: Bartłomiej Stonio , Norbert Kwietniewski , Piotr Firek , Mateusz Słowikowski , Krystian Pavłov , Piotr Caban , Mariusz Sochacki , Jan Szmidt :
Tytuł: Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
Streszczenie: Jakość powierzchni materiałów po wykonaniu procesów technologicznych jest ważnym zagadnieniem niezbędnym do zoptymalizowania przy próbie wykonania dobrej jakości przyrzadów półprzewodnikowych. W zależnosci od parametrów procesu, jakość powierzchni się zmienia. W niniejszej pracy zaprezentowano wpływ parametrów suchego trawienia RIE (ang. reactive ion etching) wspomaganego plazmą BCl₃ na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Podczas prac modyfikowano moc dostarczaną do reaktora, ciśnienie w reaktorze stosunek gazów roboczyhc oraz czas trawania procesu. Powierzchnia materiału po trawieniu została zobrazowana za pomocą wysokorozdzielczego skaningowego mikroskopu elektronowego SEM (ang. scanning electron microscope). Chropowatość została zmierzona za pomocą mikroskopu sił atomowych AFM (ang. atomic force microscope).
Słowa kluczowe: suche trawienie, 4H-SiC, jakość powierzchni, techniki pazmowe.