Numer: 09/2019 Str. 172
Autorzy: Norbert Kwietniewski , Jakub Szarafiński , Mariusz Sochacki , Jan Szmidt , Wawrzyniec Kaszub , Tymoteusz Ciuk :
Tytuł: Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC
Streszczenie: W artykule omówiono wyniki eksperymentu wygrzewania tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu (4H-SiC) w temperaturach od 850 oC do 1100 oC. Porównano wyniki pomiarów elektrycznych kontaktów do płaszczyzny krzemowej (0001) i węglowej (000-1) węglika krzemu. Sprawdzono dwa warianty przygotowania powierzchni: mycie RCA oraz mycie i usuwanie warstwy materiału metodą termicznego utleniania i trawienia. Wykazano korzystny wpływ obecności wodoru podczas wygrzewania na liniowość charakterystyk oraz rezystancję kontaktów.
Słowa kluczowe: Ti/SiC, kontakty omowe, termiczne formowanie kontaktów.