Numer: 09/2019 Str. 157
Autorzy: Adam Szyszka , Mateusz Wośko , Regina Paszkiewicz :
Tytuł: Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem
Streszczenie: W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.
Słowa kluczowe: azotek galu, AlGaN/GaN, skaningowa mikroskopia pojemnościowa, skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego, SCM, SSPM, SPM