No/VOL: 09/2019 Page no. 115
Authors: Agata Jasik , Iwona Sankowska , Krzysztof Czuba , Dariusz Smoczyński :
Title: Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju
Abstract: W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 m pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).
Key words: epitaksja z wiązek molekularnych, fotorezystory, supersieci II rodzaju InAs/GaSb, długofalowa podczerwień.