No/VOL: 02/2019 Page no. 123
Authors: Paweł Derkacz , Piotr Musznicki :
Title: Sterownik bramkowy wraz z obwodem zabezpieczającym dedykowany do tranzystorów mocy GaN
Abstract: Poniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT).
Key words: półprzewodniki szerokoprzerwowe, tranzystory GaN, tranzystory mocy, zabezpieczenie przeciwprzeciążeniowe, układy impulsowe, obwód bramkowy