No/VOL: 11/2018 Page no. 80
Authors: Mirosław Mikołajewski :
Title: Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Abstract: W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.
Key words: wzmacniacz klasy E, tranzystor GaN, kluczowanie ZVS, zabezpieczenie przepięciowe.