Numer: 09/2018 Str. 99
Autorzy: Jan Waśkiewicz :
Tytuł: Pomiar grubości warstwy zubożonej w tlen w strukturach Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag pamięci elektrorezystancyjnej
Streszczenie: W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturze pokojowej i ciekłego azotu. Na podstawie uzyskanych charakterystyk napięciowo-prądowych i amplitudowych wyznaczono wartości progowe napięcia przełączania rezystancji. Różnice poziomów tych napięć przy różnych kierunkach przełączania oraz temperaturach wyjaśniono za pomocą mechanizmu opartego na elektrodyfuzji jonów tlenu poprzez wakansy tlenowe. Wykorzystując model matematyczny tego mechanizmu na podstawie otrzymanych wartości napięcia przełączania wyznaczono grubości warstw zubożonych w jony tlenu, które odgrywają zasadniczą rolę w procesie przełączania. Otrzymane grubości od 1,2 do 10,6 nm są zgodne z danymi literaturowymi dla podobnych struktur.
Słowa kluczowe: nadprzewodniki wysokotemperaturowe, zjawisko pamięci elektrorezystancyjnej, napięcie przełączania, elektrodyfuzja jonów tlenu, warstwa zubożona.